Transistor de Silicio NPN, 30 Vce, 15 Amp., 115 Watt, Paquete TO-3.
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Descripción
Características Principales
- Transistor de Silicio NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
- Corriente Colector (Ic): 15 A
- Disipación Total: 115 W
- Paquete TO-3 metálico
- Resistencia Térmica (Rthj-case): 1.5 °C/W
Aplicaciones
- Circuitos de conmutación de potencia
- Reguladores de voltaje serie y paralelo
- Etapa de salida en amplificadores
- Amplificadores de alta fidelidad
Especificaciones Eléctricas
- Vceo: 60 V
- Vcer: 70 V
- Vebo: 7 V
- Ic: 15 A
- Ib: 7 A
- Vce(sat): 1 V (Ic=4A, Ib=400mA)
- Vbe: 1.8 V (Ic=4A, Vce=4V)
- hFE: 20-70 (Ic=4A, Vce=4V)
- fT: 3 MHz (Ic=0.5A, Vce=10V)
Condiciones Máximas
- Vcbo: 100 V
- Vcer: 70 V
- Vceo: 60 V
- Vebo: 7 V
- Ic: 15 A
- Ib: 7 A
- Ptot: 115 W
- Tj: 200 °C
- Tstg: -65 a 200 °C
Características Mecánicas
- Paquete: TO-3
- Material: Metal
- Dimensiones: 39.30 mm (U) x 30.30 mm (V)
- Peso: 40 g
